Application Market of SiC and GaN

碳化矽具有高飽和電子速度(2倍於矽材料)、高擊穿電壓(10倍於矽)、寬帶隙(3倍於矽)及高熔點(2倍於矽)的優點可應用於電動車、 5G、高開關頻率、低功耗、高效率、較小的散熱及在高溫高壓下穩定運行。

氮化鎵可以提供更高的效率,在任何電壓範圍內的功率轉換損耗最低,可以更高的頻率工作且器件(於矽基板上)比碳化矽便宜,可應用於快速充電器、UPS、面向電動摩托車、5G基站、電動汽車市場的GaN功率器件及5G RF市場的GaN外延晶片。